STGAP2SiCS galvanisk isoleret enkelt gate-driver til SiC MOSFETs

STMicroelectronics' STGAP2SiCS er en højspændingsdriver (op til 1200 V), der er fremstillet med BCD6s-teknologi. Det er inkluderet i 6 kV galvanisk isolation mellem gatens driverkanal og lavspændingskontrol- og interfacekredsløbet. Den indgår i den 6 kV galvaniske isolerede familie i en kompakt pakke. Enhedsudgang kan synke og kilde op til 4 A. Forebyggelse af krydsledning sikres ved hjælp af en sammenkoblingsfunktion. Enheden har dedikerede indgangspinde for hvert output. De logiske indgange er CMOS/TTL-kompatible ned til 3,3 V for nem grænseflade med kontrolenheder. Forsinkelse matching mellem lav-side og høj-side sektion garanterer ingen cyklus forvrængning og tillader højfrekvent drift. STGAP2SiCS fås i to forskellige konfigurationer. Konfigurationen med en adskilt udgangsben der giver brugerne mulighed for uafhængigt at optimere tænding og slukning ved hjælp af en dedikeret gate-modstand. Konfigurationen byder på en enkelt output-ben samt Miller-CLAMP funktion der forhindrer gate-spikes under hurtige kommutationer i halv-bro topologier.