STGAP2GS/STGAP2GSN enkeltkanals gate-drivere

STMicroelectronics' STGAP2GS og STGAP2GSN er galvanisk isolerede enkeltkanals gate-drivere til GaN-effekttransistorer med forbedret tilstand i SO8 brede og SO8 standard emballage, der tilbyder den passende isolerede driver til GaN med et lille fodaftryk, der udnytter den nyeste galvaniske isolationsteknologi. Gate-driveren er kendetegnet ved en strømkapacitet på 2 A source og 3 A sink og rail-to-rail udgange, hvilket gør enheden velegnet til mellem- og højeffektsapplikationer som f.eks. effektkonvertering og motordriverinvertere i industrielle applikationer.

dV/dt-overgangsimmuniteten er ±100 V/ns i hele temperaturområdet, hvilket sikrer en bemærkelsesværdig robusthed over for spændingstransienter. Enheden fås i separate sink- og source-konfigurationsmuligheder for nem gate-driving for at optimere uafhængig tænding og slukning ved hjælp af uafhængige modstande.

Enheden integrerer beskyttelsesfunktioner, herunder termisk nedlukning, som gør driverudgangen lav, når junction-temperaturen når en indstillet tærskel, og UVLO med et optimeret niveau for GaN FET'er med forbedret tilstand, hvilket gør det nemt at designe højeffektive og pålidelige systemer. Dobbelte indgangsstik tillader valg af signalpolaritetskontrol og implementering af HW-interlocking-beskyttelse for at undgå krydsledning.

Udbredningsforsinkelsen mellem input og output er inden for 45 ns, hvilket giver høj nøjagtig PWM-kontrol. Der er en standby-tilstand til rådighed for at reducere strømforbruget i tomgang. De CMOS/TTL-kompatible logiske indgange ned til 3,3 V sikrer et ukompliceret interface med mikrocontrollere og DSP-periferiudstyr.