IX4352NE 9 A lav side SiC MOSFET- og IGBT-driver

IX4352NE gate-driveren fra IXYS, en Littelfuse-teknologi, er specielt designet til at drive SiC MOSFET'er og IGBT'er med høj effekt. Separate 9 A source- og sink-udgange giver mulighed for skræddersyet tænd/sluk-timing, samtidig med at koblingstabene minimeres. En intern negativ ladningsregulator giver en brugervalgt negativ gate-drive-forspænding for forbedret dV/dt-immunitet og hurtigere slukning.

Kredsløb til detektering af afmætning registrerer en overstrømstilstand i SiC MOSFET'en og starter en blød slukning, hvilket forhindrer en potentielt skadelig dV/dt-hændelse. Den ikke-inverterende logiske indgang, IN, er TTL- og CMOS-kompatibel; interne niveauskiftere giver den nødvendige forspænding for at imødekomme negative gate-drive-forspændinger. Yderligere beskyttelsesfunktioner omfatter UVLO-detektion (undervoltage lockout) og termisk nedlukning. En åben FAULT-udgang signalerer en fejltilstand til mikrocontrolleren.