Name: SQJQ100E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ100E-T1_GE3TR-ND
Price: 29.2 DKK
Availability: InStock

Behøver du hjælp?

Feedback

Om DigiKey Markedsplads Sælg på DigiKey.com Karrierer Site-kort Digitale løsninger Nyhedsrum

Hjælp og support Ordrestatus Forsendelsesomkostninger/muligheder Returnerings- og ordreproblemer

(+45) 35 15 85 67 eu.support@digikey.com

SQJQ100E-T1_GE3
DigiKeys varenummer	SQJQ100E-T1_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SQJQ100E-T1_GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SQJQ100E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SQJQ100E-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Producentens standard leveringstid	27 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 40 V 200A (Tc) 150W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 8 x 8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SQJQ100E-T1_GE3 Modeller

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	40 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	200A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	165 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	14780 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	150W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PowerPAK® 8 x 8
Pakke/hus	PowerPAK® 8 x 8
Grundlæggende varenummer	SQJQ100

Enhedspris uden moms:	23,36000 kr.
Enhedspris med moms:	29,20000 kr.

SQJQ100E-T1_GE3