SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

SIZ300DT-T1-GE3 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended

Vishay Siliconix

På lager: 0

Enhedspris : 1,76405 kr.

Similar

onsemi

På lager: 3.000

Enhedspris : 6,85000 kr.

Similar

onsemi

På lager: 3.367

Enhedspris : 6,98000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIZ300DT-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIZ300DT-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	MOSFET'er – Arrays 30V 11A, 28A 16,7W, 31W Overflademontering 8-PowerPair®
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SIZ300DT-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er FET, MOSFET-arrays
Producenter	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Forældet
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (halvbro)
FET-funktionalitet	Logikniveau-gate
Afladning til kildespænding (Vdss)	30V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	11A, 28A
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	24mOhm @ 9,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,4V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	12nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	400pF @ 15V
Effekt - Maks.	16,7W, 31W
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Overflademontering
Pakke/hus	8-PowerWDFN
Leverandørs enhedspakning	8-PowerPair®
Grundlæggende varenummer	SIZ300