Name: SIZ200DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ200DT-T1-GE3TR-ND
Price: 12.475 DKK
Availability: OutOfStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIZ200DT-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SIZ200DT-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIZ200DT-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SIZ200DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIZ200DT-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 30V 22A 8POWERPAIR
Producentens standard leveringstid	28 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	MOSFET'er – Arrays 30V 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) 4,3W (Ta), 33W (Tc) Overflademontering 8-PowerPair® (3,3x3,3)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SIZ200DT-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er FET, MOSFET-arrays
Producenter	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (dobbelt)
FET-funktionalitet	-
Afladning til kildespænding (Vdss)	30V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	5,5mOhm @ 10A, 10V, 5,8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,4V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Effekt - Maks.	4,3W (Ta), 33W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Overflademontering
Pakke/hus	8-PowerWDFN
Leverandørs enhedspakning	8-PowerPair® (3,3x3,3)
Grundlæggende varenummer	SIZ200