Name: SISS5112DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND
Price: 13.525 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISS5112DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SISS5112DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SISS5112DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISS5112DN-T1-GE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Producentens standard leveringstid	28 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 11A (Ta), 40,7A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SISS5112DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	11A (Ta), 40,7A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	7,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	14,9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	790 pF @ 50 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PowerPAK® 1212-8S
Pakke/hus	PowerPAK® 1212-8S
Grundlæggende varenummer	SISS5112