Name: SIS890DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS890DN-T1-GE3TR-ND
Price: 10.475 DKK
Availability: InStock

Behøver du hjælp?

Feedback

Om DigiKey Markedsplads Sælg på DigiKey.com Karrierer Site-kort Digitale løsninger Nyhedsrum

Hjælp og support Ordrestatus Forsendelsesomkostninger/muligheder Returnerings- og ordreproblemer

(+45) 35 15 85 67 eu.support@digikey.com

SIS890DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SIS890DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIS890DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SIS890DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIS890DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Producentens standard leveringstid	28 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 30A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SIS890DN-T1-GE3 Modeller

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	23,5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	802 pF @ 50 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PowerPAK® 1212-8
Pakke/hus	PowerPAK® 1212-8
Grundlæggende varenummer	SIS890

Antal	Enhedspris	Udv. pris
3.000	3,44273 kr.	10.328,19 kr.
6.000	3,24000 kr.	19.440,00 kr.

Enhedspris uden moms:	8,38000 kr.
Enhedspris med moms:	10,47500 kr.

SIS890DN-T1-GE3