Name: SIRA12BDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND
Price: 7.525 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIRA12BDP-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SIRA12BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIRA12BDP-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Producentens standard leveringstid	22 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 27A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 38W (Tc) Overflademontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SIRA12BDP-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	27A (Ta), 60A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	4,3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,4V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+20V, -16V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	1470 pF @ 15 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	5W (Ta), 38W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PowerPAK® SO-8
Pakke/hus	PowerPAK® SO-8
Grundlæggende varenummer	SIRA12