Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 58.8 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SIJK5100E-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIJK5100E-T1-GE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Producentens standard leveringstid	8 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Overflademontering PowerPAK®10 x 12
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SIJK5100E-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	74A (Ta), 417A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	7,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	11480 pF @ 50 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	17W (Ta), 536W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PowerPAK®10 x 12
Pakke/hus	8-PowerBSFN