SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

SI4936BDY-T1-GE3 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Rohm Semiconductor

På lager: 0

Enhedspris : 2,60966 kr.

Similar

Rohm Semiconductor

På lager: 1.891

Enhedspris : 17,28000 kr.

Similar

Diodes Incorporated

På lager: 913

Enhedspris : 11,14000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI4936BDY-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI4936BDY-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	MOSFET'er – Arrays 30V 6,9A 2,8W Overflademontering 8-SOIC
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er FET, MOSFET-arrays
Producenter	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Forældet
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (dobbelt)
FET-funktionalitet	Logikniveau-gate
Afladning til kildespænding (Vdss)	30V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	6,9A
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	35mOhm @ 5,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	15nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	530pF @ 15V
Effekt - Maks.	2,8W
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Overflademontering
Pakke/hus	8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Leverandørs enhedspakning	8-SOIC
Grundlæggende varenummer	SI4936