SI3441BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

SI3441BDV-T1-GE3 det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

Vishay Siliconix

På lager: 31.453

Enhedspris : 2,82000 kr.

Similar

onsemi

På lager: 3.223

Enhedspris : 5,25000 kr.

Similar

onsemi

På lager: 7.216

Enhedspris : 3,58000 kr.

Similar

onsemi

På lager: 17.069

Enhedspris : 4,48000 kr.

Similar

onsemi

På lager: 4.047

Enhedspris : 4,16000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI3441BDV-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SI3441BDV-T1-GE3-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI3441BDV-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 20 V 2,45A (Ta) 860mW (Ta) Overflademontering 6-TSOP
EDA/CAD-modeller	SI3441BDV-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	20 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	2,45A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	2,5V, 4,5V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	90mOhm @ 3,3A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	850mV @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	860mW (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	6-TSOP
Pakke/hus	SOT-23-6 tynd, TSOT-23-6
Grundlæggende varenummer	SI3441