Name: XPH6R30ANB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND
Price: 8.075 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

XPH6R30ANB,L1XHQ
DigiKeys varenummer	264-XPH6R30ANBL1XHQTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-XPH6R30ANBL1XHQCT-ND - Afskåret tape (CT) 264-XPH6R30ANBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	XPH6R30ANB,L1XHQ
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 45A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Overflademontering 8-SOP Advance (5x5)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	XPH6R30ANB,L1XHQ Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	45A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	6V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	6,3mOhm @ 22,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 500µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	52 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	3240 pF @ 10 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	8-SOP Advance (5x5)
Pakke/hus	8-PowerVDFN
Grundlæggende varenummer	XPH6R30