Name: XK1R9F10QB,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND
Price: 37.3625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

XK1R9F10QB,LXGQ
DigiKeys varenummer	264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-XK1R9F10QBLXGQCT-ND - Afskåret tape (CT) 264-XK1R9F10QBLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	XK1R9F10QB,LXGQ
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Producentens standard leveringstid	32 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Overflademontering TO-220SM(W)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	XK1R9F10QB,LXGQ Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	160A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	6V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,92mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3,5V @ 1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	184 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	11500 pF @ 10 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	375W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	TO-220SM(W)
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
Grundlæggende varenummer	XK1R9F10