TW070J120B,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage | Enkelt FET’er, MOSFET’er

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TW070J120B,S1Q
DigiKeys varenummer	264-TW070J120BS1Q-ND
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TW070J120B,S1Q
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 36A (Tc) 272W (Tc) Hulmontering TO-3P(N)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	TW070J120B,S1Q Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 5,8V @ 20mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 67 nC @ 20 V
Emballage Rør	Vgs (maks.) ±25V, -10V
Varestatus Forældet	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 1680 pF @ 800 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 272W (Tc)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C
Afladning til kildespænding (Vdss) 1200 V	Monteringstype Hulmontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 36A (Tc)	Leverandørs enhedspakning TO-3P(N)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 20V	Pakke/hus TO-3P-3, SC-65-3
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 90mOhm @ 18A, 20V	Grundlæggende varenummer TW070J120

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

Forældet

Dette produkt produceres ikke længere.

TW070J120B,S1Q