TK125N60Z1,S1F
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW048N65C,S1F

DigiKeys varenummer
264-TW048N65CS1F-ND
Producenter
Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer
TW048N65C,S1F
Beskrivelse
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
Producentens standard leveringstid
24 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
N-kanal 650 V 40A (Tc) 132W (Tc) Hulmontering TO-247
Datablad
 Datablad
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Emballage
Rør
Varestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
18V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id
5V @ 1,6mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
1362 pF @ 400 V
FET-funktionalitet
-
Effektspredning (maks.)
132W (Tc)
Driftstemperatur
175°C
Klasse
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Hulmontering
Leverandørs enhedspakning
TO-247
Pakke/hus
TO-247-3
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

På lager: 29
Kontroller for yderligere indgående lager
Antal
Alle priser er i DKK
Rør
Antal Enhedspris Udv. pris
1126,02000 kr.126,02 kr.
3079,27900 kr.2.378,37 kr.
12073,68800 kr.8.842,56 kr.
Producenters standard pakke
Bemærkning: På grund af DigiKeys værditilvæksttjenester kan emballagetypen ændre sig, når produktet købes i mængder under standardpakken.
Enhedspris uden moms:126,02000 kr.
Enhedspris med moms:157,52500 kr.