Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 27.275 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TPW1R306PL,L1Q
DigiKeys varenummer	TPW1R306PLL1QTR-ND - Tape & Reel (TR) TPW1R306PLL1QCT-ND - Afskåret tape (CT) TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TPW1R306PL,L1Q
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Overflademontering 8-DSOP Advance
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	TPW1R306PL,L1Q Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	60 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	260A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,29mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	8100 pF @ 30 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	960mW (Ta), 170W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	8-DSOP Advance
Pakke/hus	8-PowerVDFN
Grundlæggende varenummer	TPW1R306