NP88N03KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

NP88N03KDG-E1-AY
DigiKeys varenummer	NP88N03KDG-E1-AYTR-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	Renesas Electronics Corporation
Producentens varenummer	NP88N03KDG-E1-AY
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 88A TO263
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 88A (Tc) 1,8W (Ta), 200W (Tc) Overflademontering TO-263
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	NP88N03KDG-E1-AY Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	88A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	2,4mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	250 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	13500 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	1,8W (Ta), 200W (Tc)
Driftstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	TO-263
Pakke/hus	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB