Name: IMT65R50M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND
Price: 60.7125 DKK
Availability: InStock

Nyt produkt

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMT65R50M2HXUMA1
DigiKeys varenummer	448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMT65R50M2HXUMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Producentens standard leveringstid	13 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Overflademontering PG-HSOF-8-2
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMT65R50M2HXUMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	48,1A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V, 18V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	62mOhm @ 18,2A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 3,7 mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	790 pF @ 400 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	237W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-HSOF-8-2
Pakke/hus	8-PowerSFN

Produktspørgsmål og svar

Se, hvad ingeniører spørger om, stil dine egne spørgsmål, eller hjælp et medlem af DigiKeys ingeniørfællesskab

På lager: 2.000

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®