Name: IMDQ75R040M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R040M1HXUMA1TR-ND
Price: 77.725 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMDQ75R040M1HXUMA1
DigiKeys varenummer	448-IMDQ75R040M1HXUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMDQ75R040M1HXUMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMDQ75R040M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMDQ75R040M1HXUMA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Producentens standard leveringstid	22 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 750 V 47A (Tc) 211W (Tc) Overflademontering PG-HDSOP-22-1
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	750 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	47A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V, 20V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	37mOhm @ 16,6A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 6 mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	34 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -5V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	1135 pF @ 500 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	211W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-HDSOP-22-1
Pakke/hus	22-PowerBSOP-modul