Name: IMBG65R260M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R260M1HXTMA1TR-ND
Price: 34.4 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMBG65R260M1HXTMA1
DigiKeys varenummer	448-IMBG65R260M1HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMBG65R260M1HXTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMBG65R260M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMBG65R260M1HXTMA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Producentens standard leveringstid	23 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 6A (Tc) 65W (Tc) Overflademontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMBG65R260M1HXTMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSIC™ M1
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	18V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	346mOhm @ 3,6A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,7V @ 1,1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	6 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -5V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	201 pF @ 400 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	65W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-7-12
Pakke/hus	TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA
Grundlæggende varenummer	IMBG65R