Enkelt FET’er, MOSFET’er

Resultater : 14
Lagermuligheder
Miljømuligheder
Medier
Ekskludér
14Resultater
Søgning

Viser
af 14
Mfr varenr.
Tilgængelig antal
Pris
Serie
Pakke
Produktstatus
FET-type
Teknologi
Afladning til kildespænding (Vdss)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) @ Id
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
Vgs (maks.)
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
FET-funktionalitet
Effektspredning (maks.)
Driftstemperatur
Klasse
Kvalifikation
Monteringstype
Leverandørs enhedspakning
Pakke/hus
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Littelfuse Inc.
247
På lager
1 : 53,54000 kr.
Rør
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1700 V
6,2A (Tc)
20V
1Ohm @ 2A, 20V
4V @ 1mA
13 nC @ 20 V
+22V, -6V
200 pF @ 1000 V
-
60W (Tc)
-55°C – 175°C (TJ)
-
-
Hulmontering
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Littelfuse Inc.
2.221
På lager
1.350
Fabrik
1 : 76,05000 kr.
Rør
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
22A (Tc)
20V
200mOhm @ 10A, 20V
4V @ 5mA
57 nC @ 20 V
+22V, -6V
870 pF @ 800 V
-
125W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Hulmontering
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Littelfuse Inc.
369
På lager
1 : 125,32000 kr.
Rør
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
39A (Tc)
20V
100mOhm @ 20A, 20V
4V @ 10mA
95 nC @ 20 V
+22V, -6V
1825 pF @ 800 V
-
179W (Tc)
-55°C – 150°C
-
-
Hulmontering
TO-247AD
TO-247-3
LSIC1MO170TO750_TO-263-7L_1
SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
Littelfuse Inc.
873
På lager
1 : 63,08000 kr.
Rør
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1700 V
6,4A (Tc)
20V
1Ohm @ 2A, 20V
4V @ 1mA
11 nC @ 20 V
+22V, -6V
200 pF @ 1000 V
-
65W (Tc)
-55°C – 175°C (TJ)
-
-
Overflademontering
TO-263-7L
TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
På lager
Tjek leveringstid
1 : 177,05000 kr.
Rør
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
70A (Tc)
20V
50mOhm @ 40A, 20V
4V @ 20mA
175 nC @ 20 V
+22V, -6V
317 pF @ 800 V
-
357W (Tc)
-55°C – 175°C (TJ)
-
-
Hulmontering
TO-247-4L
TO-247-4
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Littelfuse Inc.
0
På lager
450 : 22,88144 kr.
Rør
-
Rør
Forældet
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1700 V
5A (Tc)
15V, 20V
1Ohm @ 2A, 20V
4V @ 1mA
15 nC @ 20 V
+22V, -6V
200 pF @ 1000 V
-
54W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Hulmontering
TO-247AD
TO-247-3
LFUSCD20120B
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Littelfuse Inc.
0
På lager
Aktiv
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
27A (Tc)
20V
150mOhm @ 14A, 20V
4V @ 7mA
80 nC @ 20 V
+22V, -6V
1125 pF @ 800 V
-
139W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Hulmontering
TO-247AD
TO-247-3
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
På lager
Aktiv
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
27A (Tc)
20V
150mOhm @ 14A, 20V
4V @ 7mA
63 nC @ 20 V
+22V, -6V
1130 pF @ 800 V
-
156W (Tc)
-55°C – 175°C (TJ)
-
-
Hulmontering
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
På lager
Aktiv
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
100A (Tc)
20V
32mOhm @ 50A, 20V
4V @ 30mA
265 nC @ 20 V
+22V, -6V
495 pF @ 800 V
-
500W (Tc)
-55°C – 175°C (TJ)
-
-
Hulmontering
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
På lager
Aktiv
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
39A (Tc)
20V
100mOhm @ 20A, 20V
4V @ 10mA
92 nC @ 20 V
+22V, -6V
170 pF @ 800 V
-
214W (Tc)
-55°C – 175°C (TJ)
-
-
Hulmontering
TO-247-4L
TO-247-4
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
På lager
Aktiv
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
22A (Tc)
20V
200mOhm @ 10A, 20V
4V @ 5mA
50 nC @ 20 V
+22V, -6V
890 pF @ 800 V
-
125W (Tc)
-55°C – 175°C (TJ)
-
-
Hulmontering
TO-247-4L
TO-247-4
TO-263-7
1200V/120MOHM SIC MOSFET TO-263-
IXYS
0
På lager
Aktiv
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
27A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Overflademontering
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA
TO-263-7
1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263-
IXYS
0
På lager
Aktiv
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
22A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Overflademontering
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA
TO-263-7
1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7
IXYS
0
På lager
Aktiv
-
Rør
Aktiv
N-kanal
SiCFET (siliciumcarbid)
1200 V
39A (Tc)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Overflademontering
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA
Viser
af 14

FET, MOSFET'er


Felt-effekttransistorer (FET’er) og metal-oxid-halvleder felt-effekttransistorer (MOSFET’er) er typer af transistorer, der bruges til at forstærke eller koble elektroniske signaler.

En enkelt FET fungerer ved at styre strømmen mellem source- og drain-terminalerne gennem et elektrisk felt, der genereres af en spænding på gate-terminalen. Den største fordel ved FET'er er deres høje indgangsimpedans, som gør dem ideelle til brug i signalforstærkning og analoge kredsløb. De bruges i vid udstrækning i applikationer som forstærkere, oscillatorer og buffertrin i elektroniske kredsløb.

MOSFET'er, en undertype af FET'er, har en gate-terminal, der er isoleret fra kanalen med et tyndt oxidlag, hvilket forbedrer deres ydeevne og gør dem meget effektive. MOSFET'er kan yderligere kategoriseres i to typer:

MOSFET'er foretrækkes i mange applikationer på grund af deres lave strømforbrug, hurtige kobling og evne til at håndtere store strømme og spændinger. De er afgørende i digitale og analoge kredsløb, herunder strømforsyninger, motordrivere og radiofrekvensapplikationer.

Driften af MOSFET'er kan opdeles i to tilstande:

  • Enhancement-mode: I denne tilstand er MOSFET'en normalt slukket, når gate-source-spændingen er nul. Den kræver en positiv gate-source-spænding (for n-kanal) eller en negativ gate-source-spænding (for p-kanal) for at tænde.
  • Depletion-mode: I denne tilstand er MOSFET'en normalt tændt, når gate-source-spændingen er nul. Ved at tilføre en gate-source-spænding med modsat polaritet kan den slukkes.

MOSFET'er har flere fordele, f.eks:

  1. Høj effektivitet: De bruger meget lidt strøm og kan skifte tilstand hurtigt, hvilket gør dem meget effektive til strømstyringsapplikationer.
  2. Lav tændingsmodstand: De har lav modstand, når de er tændt, hvilket minimerer strømtab og varmeudvikling.
  3. Høj indgangsimpedans: Den isolerede gate-struktur resulterer i ekstremt høj indgangsimpedans, hvilket gør dem ideelle til signalforstærkning med høj impedans.

Kort sagt er FET'er, især MOSFET'er, grundlæggende komponenter i moderne elektronik, kendt for deres effektivitet, hastighed og alsidighed i en lang række anvendelser fra signalforstærkning med lav effekt til kobling og kontrol med høj effekt.