SQ2309ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SQ2309ES-T1_GE3
DigiKeys varenummer	SQ2309ES-T1_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SQ2309ES-T1_GE3CT-ND - Afskåret tape (CT)
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SQ2309ES-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 60 V 1,7A (Tc) 2W (Tc) Overflademontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT)
Varestatus	Forældet
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	60 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	1,7A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	336mOhm @ 3,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	8.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	265 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	2W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	SOT-23-3 (TO-236)
Pakke/hus	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundlæggende varenummer	SQ2309