Name: SISHA04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISHA04DN-T1-GE3TR-ND
Price: 11.85 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SISHA04DN-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SISHA04DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISHA04DN-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SISHA04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SISHA04DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 30.9A/40A PPAK
Producentens standard leveringstid	19 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 30,9A (Ta), 40A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 1212-8SH
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SISHA04DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	30,9A (Ta), 40A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	2,15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+20V, -16V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	3595 pF @ 15 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PowerPAK® 1212-8SH
Pakke/hus	PowerPAK® 1212-8SH
Grundlæggende varenummer	SISHA04