Name: SIJH800E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH800E-T1-GE3TR-ND
Price: 40.6375 DKK
Availability: InStock

Behøver du hjælp?

Feedback

Om DigiKey Markedsplads Sælg på DigiKey.com Karrierer Site-kort Digitale løsninger Nyhedsrum

Hjælp og support Ordrestatus Forsendelsesomkostninger/muligheder Returnerings- og ordreproblemer

(+45) 35 15 85 67 eu.support@digikey.com

SIJH800E-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SIJH800E-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIJH800E-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SIJH800E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIJH800E-T1-GE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Producentens standard leveringstid	24 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 80 V 29A (Ta), 299A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Overflademontering PowerPAK® 8 x 8
Datablad	Datablad

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	80 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	29A (Ta), 299A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	7,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,55mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	10230 pF @ 40 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3,3W (Ta), 333W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PowerPAK® 8 x 8
Pakke/hus	PowerPAK® 8 x 8

Enhedspris uden moms:	32,51000 kr.
Enhedspris med moms:	40,63750 kr.

SIJH800E-T1-GE3