2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

2N7002E-T1-GE3
DigiKeys varenummer	2N7002E-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 2N7002E-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 2N7002E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	2N7002E-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Overflademontering TO-236
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	-
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	60 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	240mA (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	21 pF @ 5 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	350mW (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	TO-236
Pakke/hus	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundlæggende varenummer	2N7002