Name: TPW1R104PB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND
Price: 9.525 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TPW1R104PB,L1XHQ
DigiKeys varenummer	264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TPW1R104PBL1XHQCT-ND - Afskåret tape (CT) 264-TPW1R104PBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TPW1R104PB,L1XHQ
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 40 V 120A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Overflademontering 8-DSOP Advance
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	TPW1R104PB,L1XHQ Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	40 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	120A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	6V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	1,14mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 500µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	4560 pF @ 10 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Driftstemperatur	175°C
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	8-DSOP Advance
Pakke/hus	8-PowerVDFN
Grundlæggende varenummer	TPW1R104