Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 17.9 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TPN1110ENH,L1Q
DigiKeys varenummer	TPN1110ENHL1QTR-ND - Tape & Reel (TR) TPN1110ENHL1QCT-ND - Afskåret tape (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TPN1110ENH,L1Q
Beskrivelse	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 200 V 7,2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Overflademontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	TPN1110ENH,L1Q Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	200 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	7,2A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	114mOhm @ 3,6A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 200µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	600 pF @ 100 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Pakke/hus	8-PowerVDFN
Grundlæggende varenummer	TPN1110