Name: TPH2R306NH1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH2R306NH1LQTR-ND
Price: 18.4625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TPH2R306NH1,LQ
DigiKeys varenummer	264-TPH2R306NH1LQTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TPH2R306NH1LQCT-ND - Afskåret tape (CT) 264-TPH2R306NH1LQDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TPH2R306NH1,LQ
Beskrivelse	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 60 V 136A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) Overflademontering 8-SOP Advance (5x5,75)
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	60 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	136A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	6,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	2,3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	6100 pF @ 30 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	800mW (Ta), 170W (Tc)
Driftstemperatur	150°C
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	8-SOP Advance (5x5,75)
Pakke/hus	8-PowerTDFN