Name: TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 15.725 DKK
Availability: InStock

P-kanal 40 V 60A (Ta) 90W (Tc) Overflademontering DPAK+

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TJ60S04M3L(T6L1,NQ
DigiKeys varenummer	264-TJ60S04M3L(T6L1,NQTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQCT-ND - Afskåret tape (CT) 264-TJ60S04M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Beskrivelse	MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Producentens standard leveringstid	16 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	P-kanal 40 V 60A (Ta) 90W (Tc) Overflademontering DPAK+
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	TJ60S04M3L(T6L1,NQ Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	40 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	60A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	6V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	6,3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	3V @ 1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	125 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+10V, -20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	6510 pF @ 10 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	90W (Tc)
Driftstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	DPAK+
Pakke/hus	TO-252-3, DPAK (2 ledere + tab), SC-63
Grundlæggende varenummer	TJ60S04