SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete halvlederprodukter

SSM6K211FE,LF det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 0

Enhedspris : 0,00000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SSM6K211FE,LF
DigiKeys varenummer	SSM6K211FELFTR-ND - Tape & Reel (TR) SSM6K211FELFCT-ND - Afskåret tape (CT) SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	SSM6K211FE,LF
Beskrivelse	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 20 V 3,2A (Ta) 500mW (Ta) Overflademontering ES6
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SSM6K211FE,LF Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIII
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	20 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	3,2A (Ta)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	1,5V, 4,5V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	47mOhm @ 2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) @ Id	1V @ 1mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	10.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	510 pF @ 10 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	500mW (Ta)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	ES6
Pakke/hus	SOT-563, SOT-666
Grundlæggende varenummer	SSM6K211