NP90N06VLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Diskrete halvlederprodukter

NP90N06VLG-E1-AY det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

onsemi

På lager: 2.816

Enhedspris : 17,74000 kr.

Similar

Infineon Technologies

På lager: 2.268

Enhedspris : 3,41850 kr.

Similar

Infineon Technologies

På lager: 5.606

Enhedspris : 11,48000 kr.

Similar

Infineon Technologies

På lager: 444

Enhedspris : 16,71000 kr.

Similar

STMicroelectronics

På lager: 2.267

Enhedspris : 18,00000 kr.

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 1.755

Enhedspris : 16,13000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

NP90N06VLG-E1-AY
DigiKeys varenummer	NP90N06VLG-E1-AYTR-ND - Tape & Reel (TR)
Producenter	Renesas Electronics Corporation
Producentens varenummer	NP90N06VLG-E1-AY
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 90A TO252
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 60 V 90A (Tc) 1,2W (Ta), 105W (Tc) Overflademontering TO-252
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	NP90N06VLG-E1-AY Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Emballage	Tape & Reel (TR)
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	60 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	7,8mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	6900 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	1,2W (Ta), 105W (Tc)
Driftstemperatur	175°C (TJ)
Klasse	Automotive
Kvalifikation	AEC-Q101
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	TO-252
Pakke/hus	TO-252-3, DPAK (2 ledere + tab), SC-63