MCB60I1200TZ-TUB IXYS | Diskrete halvlederprodukter

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

MCB60I1200TZ-TUB
DigiKeys varenummer	238-MCB60I1200TZ-TUB-ND
Producenter	IXYS
Producentens varenummer	MCB60I1200TZ-TUB
Beskrivelse	SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 1200 V 90A (Tc) Overflademontering TO-268AA (D3Pak-HV)
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	MCB60I1200TZ-TUB Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	IXYS
Serie	-
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	1200 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	20V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4V @ 15mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	160 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	2790 pF @ 1000 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	-
Driftstemperatur	-40°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	TO-268AA (D3Pak-HV)
Pakke/hus	TO-268-3, D3PAK (2 ledere + tab), TO-268AA
Grundlæggende varenummer	MCB60I1200