DMN95H8D5HCT Diodes Incorporated | Diskrete halvlederprodukter

DMN95H8D5HCT det er forældet og fremstilles ikke længere.

Tilgængelige erstatningsvarer:

Similar

IXYS

På lager: 40

Enhedspris : 16,09000 kr.

Similar

IXYS

På lager: 0

Enhedspris : 28,17000 kr.

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

DMN95H8D5HCT
DigiKeys varenummer	DMN95H8D5HCTDI-ND
Producenter	Diodes Incorporated
Producentens varenummer	DMN95H8D5HCT
Beskrivelse	MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 950 V 2,5A (Tc) 125W (Tc) Hulmontering TO-220AB (Type TH)
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Diodes Incorporated
Serie	-
Emballage	Rør
Varestatus	Forældet
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	950 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	2,5A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	7.9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	470 pF @ 25 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	125W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Hulmontering
Leverandørs enhedspakning	TO-220AB (Type TH)
Pakke/hus	TO-220-3
Grundlæggende varenummer	DMN95