Name: CGD65A130S2-T13
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65A130S2-T13TR-ND
Price: 61.925 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

CGD65A130S2-T13
DigiKeys varenummer	4768-CGD65A130S2-T13TR-ND - Tape & Reel (TR) 4768-CGD65A130S2-T13CT-ND - Afskåret tape (CT) 4768-CGD65A130S2-T13DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Cambridge GaN Devices
Producentens varenummer	CGD65A130S2-T13
Beskrivelse	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
Producentens standard leveringstid	26 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	650 V 12A (Tc) Overflademontering 16-DFN (8x8)

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Cambridge GaN Devices
Serie	ICeGaN™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	-
Teknologi	GaNFET (galliumnitrid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	12V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	182mOhm @ 900mA, 12V
Vgs(th) (maks.) @ Id	4,2V @ 4,2mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	2.3 nC @ 12 V
Vgs (maks.)	+20V, -1V
FET-funktionalitet	Strømregistrering
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	16-DFN (8x8)
Pakke/hus	16-PowerVDFN