Enkelt FET’er, MOSFET’er

Viser

af 2

	Mfr varenr.	Tilgængelig antal	Pris	Serie	Pakke	Produktstatus	FET-type	Teknologi	Afladning til kildespænding (Vdss)	Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	Rds on (maks.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) @ Id	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	Vgs (maks.)	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	FET-funktionalitet	Effektspredning (maks.)	Driftstemperatur	Klasse	Kvalifikation	Monteringstype	Leverandørs enhedspakning	Pakke/hus
	IPB048N15N5ATMA1 MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 Infineon Technologies	1.503 På lager	1 : 34,89000 kr. Afskåret tape (CT) 1.000 : 13,11446 kr. Tape & Reel (TR)	OptiMOS™	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (metaloxid)	150 V	120A (Tc)	8V, 10V	4,8mOhm @ 60A, 10V	4,6V @ 264µA	100 nC @ 10 V	±20V	7800 pF @ 75 V	-	300W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	-	-	Overflademontering	PG-TO263-3-2	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB
	IPB048N15N5LFATMA1 MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Infineon Technologies	0 På lager Tjek leveringstid	1 : 44,57000 kr. Afskåret tape (CT) 1.000 : 18,20113 kr. Tape & Reel (TR)	OptiMOS™ 5	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-kanal	MOSFET (metaloxid)	150 V	120A (Tc)	10V	4,8mOhm @ 100A, 10V	4,9V @ 255µA	84 nC @ 10 V	±20V	380 pF @ 75 V	-	313W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	-	-	Overflademontering	PG-TO263-3	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + tab), TO-263AB

Viser

af 2

FET, MOSFET'er

Felt-effekttransistorer (FET’er) og metal-oxid-halvleder felt-effekttransistorer (MOSFET’er) er typer af transistorer, der bruges til at forstærke eller koble elektroniske signaler.

En enkelt FET fungerer ved at styre strømmen mellem source- og drain-terminalerne gennem et elektrisk felt, der genereres af en spænding på gate-terminalen. Den største fordel ved FET'er er deres høje indgangsimpedans, som gør dem ideelle til brug i signalforstærkning og analoge kredsløb. De bruges i vid udstrækning i applikationer som forstærkere, oscillatorer og buffertrin i elektroniske kredsløb.

MOSFET'er, en undertype af FET'er, har en gate-terminal, der er isoleret fra kanalen med et tyndt oxidlag, hvilket forbedrer deres ydeevne og gør dem meget effektive. MOSFET'er kan yderligere kategoriseres i to typer:

MOSFET'er med n-kanal: hvor elektroner er de primære ladningsbærere.
MOSFET'er med p-kanal: hvor huller er de primære ladningsbærere.

MOSFET'er foretrækkes i mange applikationer på grund af deres lave strømforbrug, hurtige kobling og evne til at håndtere store strømme og spændinger. De er afgørende i digitale og analoge kredsløb, herunder strømforsyninger, motordrivere og radiofrekvensapplikationer.

Driften af MOSFET'er kan opdeles i to tilstande:

Enhancement-mode: I denne tilstand er MOSFET'en normalt slukket, når gate-source-spændingen er nul. Den kræver en positiv gate-source-spænding (for n-kanal) eller en negativ gate-source-spænding (for p-kanal) for at tænde.
Depletion-mode: I denne tilstand er MOSFET'en normalt tændt, når gate-source-spændingen er nul. Ved at tilføre en gate-source-spænding med modsat polaritet kan den slukkes.

MOSFET'er har flere fordele, f.eks:

Høj effektivitet: De bruger meget lidt strøm og kan skifte tilstand hurtigt, hvilket gør dem meget effektive til strømstyringsapplikationer.
Lav tændingsmodstand: De har lav modstand, når de er tændt, hvilket minimerer strømtab og varmeudvikling.
Høj indgangsimpedans: Den isolerede gate-struktur resulterer i ekstremt høj indgangsimpedans, hvilket gør dem ideelle til signalforstærkning med høj impedans.

Kort sagt er FET'er, især MOSFET'er, grundlæggende komponenter i moderne elektronik, kendt for deres effektivitet, hastighed og alsidighed i en lang række anvendelser fra signalforstærkning med lav effekt til kobling og kontrol med høj effekt.