DKK | EUR | USD
Favorit

BSZ900N15NS3GATMA1 N-kanal 150V 13A (Tc) 38W (Tc) Overflademontering PG-TSDSON-8
Pris og behandling
10.311 På lager
Kan sendes med det samme
 

Antal
Alle priser er i DKK.
Prisreduktion Enhedspris Udvidet pris
1 7,14000 kr. 7,14
10 6,36400 kr. 63,64
25 6,03920 kr. 150,98
100 4,52950 kr. 452,95
500 3,83952 kr. 1.919,76
1.000 3,12770 kr. 3.127,70
2.500 3,08454 kr. 7.711,35

Send en anmodning om tilbud på antal, der er større end dem, der vises.

Alternativ emballage
  • Tape & Reel (TR)  : BSZ900N15NS3GATMA1TR-ND
  • Minimum antal: 5.000
  • Tilgængelig antal: 10.000 - Omgående
  • Enhedspris: kr. 2,80412

BSZ900N15NS3GATMA1

Datablad
Digi-Key varenummer BSZ900N15NS3GATMA1CT-ND
Kopier  
Producenter

Kopier  
Producentens varenummer BSZ900N15NS3GATMA1
Kopier  
Beskrivelse MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
Kopier  
Producentens standard leveringstid 18 uger
Detaljeret beskrivelse

N-kanal 150V 13A (Tc) 38W (Tc) Overflademontering PG-TSDSON-8

Kopier  
Kundereference
Produktegenskaber
Type Beskrivelse Vælg alle
Kategorier
Producenter Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Emballage Afskåret tape (CT) 
Varrestatus Aktiv
FET-type N-kanal
Teknologi MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss) 150V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 8V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 90mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id 4V @ 20µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 7nC @ 10V
Vgs (maks.) ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 510pF @ 75V
FET-funktionalitet -
Effektspredning (maks.) 38W (Tc)
Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype Overflademontering
Leverandørs enhedspakning PG-TSDSON-8
Pakke/hus 8-PowerTDFN
 
Miljø- og eksportklassifikationer
RoHS-Status ROHS3-kompatibel
Fugtfølsomhedsniveau (MSL) 1 (ubegrænset)
Måske er du også interesseret i

BSC22DN20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON

Infineon Technologies

kr. 5,94000 Details
Flere ressourcer
Standard pakke 1
Andre navne BSZ900N15NS3 GCT
BSZ900N15NS3 GCT-ND
BSZ900N15NS3GATMA1CT