DKK | EUR | USD
Favorit

BSC0901NSATMA1 N-kanal 30V 28A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Overflademontering PG-TDSON-8-5
Pris og behandling
11.476 På lager
Kan sendes med det samme
 

Antal
Alle priser er i DKK.
Prisreduktion Enhedspris Udvidet pris
1 6,26000 kr. 6,26
10 5,59300 kr. 55,93
25 5,30880 kr. 132,72
100 3,98160 kr. 398,16
500 3,37488 kr. 1.687,44
1.000 2,74920 kr. 2.749,20
2.500 2,71128 kr. 6.778,20

Send en anmodning om tilbud på antal, der er større end dem, der vises.

Alternativ emballage
  • Tape & Reel (TR)  : BSC0901NSATMA1TR-ND
  • Minimum antal: 5.000
  • Tilgængelig antal: 10.000 - Omgående
  • Enhedspris: kr. 2,46480
  • Digi-Reel®  : BSC0901NSATMA1DKR-ND
  • Minimum antal: 1
  • Tilgængelig antal: 11.476 - Omgående
  • Enhedspris: Digi-Reel®

BSC0901NSATMA1

Datablad
Digi-Key varenummer BSC0901NSATMA1CT-ND
Kopier  
Producenter

Kopier  
Producentens varenummer BSC0901NSATMA1
Kopier  
Beskrivelse MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
Kopier  
Producentens standard leveringstid 15 uger
Detaljeret beskrivelse

N-kanal 30V 28A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Overflademontering PG-TDSON-8-5

Kopier  
Kundereference
Dokumenter og medier
Datablade BSC0901NS
Andre relaterede dokumenter Part Number Guide
Udvalgt produkt Data Processing Systems
PCN-design/specifikation OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015
PCN-samling/oprindelse Mult Dev Assembly Site Add 24/Jun/2019
PCN-emballage Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
Simuleringsmodeller OptiMOS™ Power MOSFET 30V N-Channel Spice Model
Produktegenskaber
Type Beskrivelse Vælg alle
Kategorier
Producenter Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Emballage Afskåret tape (CT) 
Varrestatus Aktiv
FET-type N-kanal
Teknologi MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss) 30V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 28A (Ta), 100A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 1,9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id 2,2V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 44nC @ 10V
Vgs (maks.) ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 2800pF @ 15V
FET-funktionalitet -
Effektspredning (maks.) 2,5W (Ta), 69W (Tc)
Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype Overflademontering
Leverandørs enhedspakning PG-TDSON-8-5
Pakke/hus 8-PowerTDFN
 
Miljø- og eksportklassifikationer
RoHS-Status ROHS3-kompatibel
Fugtfølsomhedsniveau (MSL) 1 (ubegrænset)
Måske er du også interesseret i

ISC019N03L5SATMA1

30V SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFE

Infineon Technologies

kr. 5,31000 Details
Flere ressourcer
Standard pakke 1
Andre navne BSC0901NSATMA1CT
BSC0901NSCT
BSC0901NSCT-ND