FET-, MOSFET-arrays

Resultater : 5.761
Producenter
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Emballage
Afskåret tape (CT)BakkeBoksBulkDigi-Reel®RørStripTape & Reel (TR)
Produktstatus
AktivFås ikke længere hos Digi-KeyForældetIkke til nye designLast Time Buy
Teknologi
-GaNFET (galliumnitrid)MOSFET (metaloxid)SiCFET (siliciumcarbid)Siliciumcarbid (SiC)
Konfiguration
2 N- og 2 P-kanal2 N- og 2 P-kanal (fuld bro)2 N- og 2 P-kanal matchende par2 N-kanal2 N-kanal (dobbelt Buck Chopper)2 N-kanal (dobbelt)2 N-kanal (dobbelt) asymmetrisk2 N-kanal (dobbelt) fælles dræn2 N-kanal (dobbelt) fælles kilde2 N-kanal (dobbelt) matchende par2 N-kanal (dobbelt), Schottky2 N-kanal (fasetrin)
FET-funktionalitet
-Logikniveau-gateLogikniveau-gate, 0,9V drevLogikniveau-gate, 1,2V drevLogikniveau-gate, 1,5V drevLogikniveau-gate, 1,8V drevLogikniveau-gate, 2,5V drevLogikniveau-gate, 4,5V drevLogikniveau-gate, 4V drevLogikniveau-gate, 5V drevLogikniveau-port, drives af 10VSiliciumcarbid (SiC)Udtømningstilstand
Afladning til kildespænding (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
0,46mOhm @ 160A, 12V0,762mOhm @ 160A, 12V0,765mOhm @ 160A, 12V, 0,580mOhm @ 160A, 12V0,765mOhm @ 160A, 12V, 0,710mOhm @ 160A, 12V0,8mOhm @ 1200A, 10V0,88mOhm @ 160A, 14V, 0,71mOhm @ 160A, 14V0,88mOhm @ 50A, 10V0,95mOhm @ 30A, 10V0,95mOhm @ 8A, 4,5V0,99mOhm @ 80A, 10V, 1,35mOhm @ 80A, 10V1,039mOhm @ 160A, 12V, 762µOhm @ 160A, 12V1,15mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
10mV @ 10µA10mV @ 1µA10mV @ 20µA20mV @ 10µA20mV @ 1µA20mV @ 20µA180mV @ 1µA200mV @ 2,8A, 200mV @ 1,9A220mV @ 1µA360mV @ 1µA380mV @ 1µA400mV @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
0,4pC @ 4,5V, 7,3nC @ 4,5V0,45pC @ 4,5V50pC @ 4,5V0,16nC @ 5V, 0,044nC @ 5V0,22nC @ 5V, 0,044nC @ 5V0,26nC @ 2,5V0,28nC @ 4,5V0,28nC @ 4,5V, 0,3nC @ 4,5V0,3nC @ 4,5V0,3nC @ 4,5V, 0,28nC @ 4,5V0,304nC @ 4,5V0,31nC @ 4,5V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2,5pF @ 5V3pF @ 5V5pF @ 3V6pF @ 3V6,2pF @ 10V6,6pF @ 10V7pF @ 10V7pF @ 3V7,1pF @ 10V7,4pF @ 10V7,5pF @ 10V8,5pF @ 3V
Effekt - Maks.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 150°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (Tc)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C-55°C – 175°C (TA)-55°C – 175°C (TJ)-50°C – 150°C (TJ)-40°C – 125°C
Klasse
-AutomotiveMilitær
Kvalifikation
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Monteringstype
-ChassismonteringHulmonteringOverflademonteringOverflademontering, Fugtbar side
Pakke/hus
4-SMD, ingen leder4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN eksponeret overflade4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Leverandørs enhedspakning
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-chip LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lagermuligheder
Miljømuligheder
Medier
MARKEDSPLADSPRODUKT
5.761Resultater
Viser
af 5.761
Mfr varenr.
Tilgængelig antal
Pris
Serie
Pakke
Produktstatus
Teknologi
Konfiguration
FET-funktionalitet
Afladning til kildespænding (Vdss)
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
Vgs(th) (maks.) @ Id
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
Effekt - Maks.
Driftstemperatur
Klasse
Kvalifikation
Monteringstype
Pakke/hus
Leverandørs enhedspakning
344.956
På lager
1 : 0,94000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,24032 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
-
60V
300mA
1,5Ohm @ 100mA, 10V
2,1V @ 250µA
0,6nC @ 4,5V
40pF @ 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
114.078
På lager
1 : 1,40000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,37713 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
-
60V
230mA
7,5Ohm @ 50mA, 5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
70.649
På lager
1 : 1,47000 kr.
Afskåret tape (CT)
4.000 : 0,37644 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
N- og P-kanal
Logikniveau-gate, 1,5V drev
20V
800mA (Ta)
235mOhm @ 800mA, 4,5V, 390mOhm @ 800mA, 4,5V
1V @ 1mA
1nC @ 10V
55pF @ 10V, 100pF @ 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
1.978
På lager
1 : 1,47000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,37070 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Ikke til nye design
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
60V
320mA
1,6Ohm @ 500mA, 10V
2,4V @ 250µA
0,8nC @ 4,5V
50pF @ 10V
420mW
150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q100
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
190.573
På lager
1 : 1,54000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,40127 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate, 1,5V drev
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm @ 100mA, 4,5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
6DFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
37.345
På lager
1 : 1,54000 kr.
Afskåret tape (CT)
5.000 : 0,37670 kr.
Tape & Reel (TR)
1 : 1,80000 kr.
Afskåret tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
20V
600mA
620mOhm @ 600mA, 4,5V
950mV @ 250µA
0,7nC @ 4,5V
21,3pF @ 10V
265mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-XFDFN eksponeret overflade
DFN1010B-6
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
4.848
På lager
1 : 1,60000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,43240 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
60V
300mA
3Ohm @ 500mA, 10V
2,5V @ 250µA
0,6nC @ 10V
20pF @ 25V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
140.641
På lager
1 : 1,67000 kr.
Afskåret tape (CT)
4.000 : 0,42253 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
30V
100mA
4Ohm @ 10mA, 4V
1,5V @ 100µA
-
8,5pF @ 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
318.362
På lager
1 : 1,74000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,45689 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
60V
320mA
1,6Ohm @ 300mA, 10V
1,5V @ 250µA
0,8nC @ 4,5V
50pF @ 10V
420mW
150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
48.979
På lager
1.290.000
Fabrik
1 : 1,80000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,47673 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
N- og P-kanal
Logikniveau-gate
20V
1,07A, 845mA
450mOhm @ 600mA, 4,5V
1V @ 250µA
0,74nC @ 4,5V
60,67pF @ 10V
330mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
742.962
På lager
1 : 1,94000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,41603 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate, 1,2V drev
50V
200mA
2,2Ohm @ 200mA, 4,5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
335.882
På lager
1 : 1,94000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,52950 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate, 0,9V drev
50V
200mA
2,2Ohm @ 200mA, 4,5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
164.295
På lager
1 : 1,94000 kr.
Afskåret tape (CT)
8.000 : 0,46732 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate, 0,9V drev
50V
200mA
2,2Ohm @ 200mA, 4,5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
EMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
99.345
På lager
3.012.000
Fabrik
1 : 1,94000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,51910 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Ikke til nye design
MOSFET (metaloxid)
N- og P-kanal
Logikniveau-gate, 4,5V drev
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm @ 3,1A, 10V
2,3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-23-6 tynd, TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
6.193
På lager
2.514.000
Fabrik
1 : 1,94000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,52549 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
N- og P-kanal
Logikniveau-gate
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm @ 3,4A, 10V
1,5V @ 250µA
12,3nC @ 10V
422pF @ 15V
850mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-23-6 tynd, TSOT-23-6
TSOT-26
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
130.063
På lager
1 : 2,14000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,57432 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
20V
880mA
400mOhm @ 880mA, 2,5V
750mV @ 1,6µA
0,26nC @ 2,5V
78pF @ 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68.880
På lager
1 : 2,14000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,58096 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Ikke til nye design
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
20V
860mA
350mOhm @ 200mA, 4,5V
1,5V @ 250µA
0,72nC @ 4,5V
34pF @ 20V
410mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
PEMD4-QX
2N7002BKV,115
MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Nexperia USA Inc.
34.758
På lager
1 : 2,14000 kr.
Afskåret tape (CT)
4.000 : 0,56323 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Ikke til nye design
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
60V
340mA
1,6Ohm @ 500mA, 10V
2,1V @ 250µA
0,6nC @ 4,5V
50pF @ 10V
350mW
150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
455.532
På lager
1 : 2,20000 kr.
Afskåret tape (CT)
4.000 : 0,58026 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
-
20V
540mA
550mOhm @ 540mA, 4,5V
1V @ 250µA
2,5nC @ 4,5V
150pF @ 16V
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
94.193
På lager
1 : 2,20000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,60645 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
60V
115mA
7,5Ohm @ 50mA, 5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
28.778
På lager
1 : 2,20000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,60501 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
20V
630mA
375mOhm @ 630mA, 4,5V
1,5V @ 250µA
3nC @ 4,5V
46pF @ 20V
270mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
20.395
På lager
1 : 2,20000 kr.
Afskåret tape (CT)
4.000 : 0,57325 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
N- og P-kanal
Logikniveau-gate, 1,5V drev
20V
800mA (Ta), 720mA (Ta)
240mOhm @ 500mA, 4,5V, 300mOhm @ 400mA, 4,5V
1V @ 1mA
2nC @ 4,5V, 1,76nC @ 4,5V
90pF @ 10V, 110pF @ 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
ES6
37.586
På lager
1 : 2,27000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,61267 kr.
Tape & Reel (TR)
-
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Ikke til nye design
MOSFET (metaloxid)
N- og P-kanal
Logikniveau-gate
30V
400mA, 200mA
700mOhm @ 200MA, 10V
1,8V @ 100µA
-
20pF @ 5V
300mW
150°C (TJ)
-
-
Overflademontering
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PG-SOT363-PO
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
35.474
På lager
1 : 2,27000 kr.
Afskåret tape (CT)
3.000 : 0,62064 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
20V
950mA
350mOhm @ 950mA, 4,5V
1,2V @ 1,6µA
0,32nC @ 4,5V
63pF @ 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Overflademontering
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT666
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
76.474
På lager
1 : 2,34000 kr.
Afskåret tape (CT)
4.000 : 0,62017 kr.
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Afskåret tape (CT)
Digi-Reel®
Ikke til nye design
MOSFET (metaloxid)
2 N-kanal (dobbelt)
Logikniveau-gate
20V
800mA
380mOhm @ 500mA, 4,5V
950mV @ 250µA
0,68nC @ 4,5V
83pF @ 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
Automotive
AEC-Q101
Overflademontering
SOT-563, SOT-666
SOT-666
Viser
af 5.761

FET-, MOSFET-arrays

Felteffekttransistorer (FET) er elektroniske enheder, der bruger et elektrisk felt til at kontrollere strømmen. Påføring af en spænding til gate-terminalen ændrer konduktiviteten mellem drain- og source-terminalerne. FET'er er også kendt som unipolære transistorer, da de involverer operationer med en enkelt ladningsbærer. Det vil sige, FET'er bruger enten elektroner eller huller som ladningsbærere i deres drift, men ikke begge dele. Felteffekttransistorer viser generelt meget høj inputimpedans ved lave frekvenser.