Name: SIRA60DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA60DP-T1-GE3TR-ND
Price: 16.3625 DKK
Availability: OutOfStock

Behøver du hjælp?

Feedback

Om DigiKey Markedsplads Sælg på DigiKey.com Karrierer Site-kort Digitale løsninger Nyhedsrum

Hjælp og support Ordrestatus Forsendelsesomkostninger/muligheder Returnerings- og ordreproblemer

(+45) 35 15 85 67 eu.support@digikey.com

SIRA60DP-T1-GE3
DigiKeys varenummer	SIRA60DP-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIRA60DP-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) SIRA60DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SIRA60DP-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Producentens standard leveringstid	19 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 30 V 100A (Tc) 57W (Tc) Overflademontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SIRA60DP-T1-GE3 Modeller

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metaloxid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	30 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	4,5V, 10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	0,94mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id	2,2V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	60 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	+20V, -16V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	7650 pF @ 15 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	57W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PowerPAK® SO-8
Pakke/hus	PowerPAK® SO-8
Grundlæggende varenummer	SIRA60

Antal	Enhedspris	Udv. pris
3.000	3,63862 kr.	10.915,86 kr.
6.000	3,45075 kr.	20.704,50 kr.

Enhedspris uden moms:	13,09000 kr.
Enhedspris med moms:	16,36250 kr.

SIRA60DP-T1-GE3