Name: SI4190BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4190BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 24.5625 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

SI4190BDY-T1-GE3
DigiKeys varenummer	742-SI4190BDY-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SI4190BDY-T1-GE3CT-ND - Afskåret tape (CT) 742-SI4190BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Vishay Siliconix
Producentens varenummer	SI4190BDY-T1-GE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
Producentens standard leveringstid	55 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 100 V 12A (Ta), 17A (Tc) 3,8W (Ta), 8,4W (Tc) Overflademontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	SI4190BDY-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 2,5V @ 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Emballage Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 4150 pF @ 50 V
Varestatus Aktiv	Effektspredning (maks.) 3,8W (Ta), 8,4W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metaloxid)	Monteringstype Overflademontering
Afladning til kildespænding (Vdss) 100 V	Leverandørs enhedspakning 8-SOIC
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 12A (Ta), 17A (Tc)	Pakke/hus 8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 4,5V, 10V	Grundlæggende varenummer SI4190
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 9,3mOhm @ 10A, 10V

Rapportér fejl i produktinformation

Dokumenter og medier

Miljø- og eksportklassifikationer

Flere ressourcer

På lager: 4.763

Kontroller for yderligere indgående lager

Antal

Alle priser er i DKK

Afskåret tape (CT) & Digi-Reel®

* Alle Digi-Reel ordrer vil få tilføje et 47,00 kr. rullegebyr.

Tape & Reel (TR)

Producenters standard pakke

Enhedspris uden moms:	19,65000 kr.
Enhedspris med moms:	24,56250 kr.

SI4190BDY-T1-GE3