Name: TW083N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW083N65CS1F-ND
Price: 142.3375 DKK
Availability: OutOfStock

N-kanal 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Hulmontering TO-247

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

TW083N65C,S1F
DigiKeys varenummer	264-TW083N65CS1F-ND
Producenter	Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer	TW083N65C,S1F
Beskrivelse	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
Producentens standard leveringstid	24 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 650 V 30A (Tc) 111W (Tc) Hulmontering TO-247
Datablad	Datablad

Produktegenskaber

Filtrer lignende produkter

Vis tomme attributter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er	Vgs(th) (maks.) @ Id 5V @ 600µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs 28 nC @ 18 V
Emballage Rør	Vgs (maks.) +25V, -10V
Varestatus Aktiv	Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds 873 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effektspredning (maks.) 111W (Tc)
Teknologi SiCFET (siliciumcarbid)	Driftstemperatur 175°C
Afladning til kildespænding (Vdss) 650 V	Monteringstype Hulmontering
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C 30A (Tc)	Leverandørs enhedspakning TO-247
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til) 18V	Pakke/hus TO-247-3
Rds on (maks.) @ Id, Vgs 113mOhm @ 15A, 18V