TK125N60Z1,S1F
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW027N65C,S1F

DigiKeys varenummer
264-TW027N65CS1F-ND
Producenter
Toshiba Semiconductor and Storage
Producentens varenummer
TW027N65C,S1F
Beskrivelse
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Producentens standard leveringstid
24 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
N-kanal 650 V 58A (Tc) 156W (Tc) Hulmontering TO-247
Datablad
 Datablad
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Emballage
Rør
Varestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)
650 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
18V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
37mOhm @ 29A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id
5V @ 3mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
2288 pF @ 400 V
FET-funktionalitet
-
Effektspredning (maks.)
156W (Tc)
Driftstemperatur
175°C
Klasse
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Hulmontering
Leverandørs enhedspakning
TO-247
Pakke/hus
TO-247-3
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

På lager: 20
Kontroller for yderligere indgående lager
Antal
Alle priser er i DKK
Rør
Antal Enhedspris Udv. pris
1174,66000 kr.174,66 kr.
30113,81967 kr.3.414,59 kr.
120111,52800 kr.13.383,36 kr.
Producenters standard pakke
Bemærkning: På grund af DigiKeys værditilvæksttjenester kan emballagetypen ændre sig, når produktet købes i mængder under standardpakken.
Enhedspris uden moms:174,66000 kr.
Enhedspris med moms:218,32500 kr.