IRFB4110GPBF det er forældet og fremstilles ikke længere.
Tilgængelige erstatningsvarer:

MFR Recommended


Infineon Technologies
På lager: 6.715
Enhedspris : 2,64000 kr.
Datablad

Parametrisk ækvivalent


Infineon Technologies
På lager: 74
Enhedspris : 7,19000 kr.
Datablad

Parametrisk ækvivalent


Infineon Technologies
På lager: 988
Enhedspris : 2,64000 kr.
Datablad

Parametrisk ækvivalent


Infineon Technologies
På lager: 0
Enhedspris : 3,45000 kr.
Datablad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
På lager: 0
Enhedspris : 1,00336 kr.
Datablad

Similar


Diodes Incorporated
På lager: 46
Enhedspris : 2,78000 kr.
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 17.875
Enhedspris : 4,15000 kr.
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 1.403
Enhedspris : 3,18000 kr.
Datablad
IRFB4127PBFXKMA1
Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IRFB4110GPBF

DigiKeys varenummer
IRFB4110GPBF-ND
Producenter
Producentens varenummer
IRFB4110GPBF
Beskrivelse
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Kundereference
Detaljeret beskrivelse
N-kanal 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Hulmontering TO-220AB
Datablad
 Datablad
Produktegenskaber
Type
Beskrivelse
Vælg alle
Kategori
Mfr
Serie
Emballage
Rør
Varestatus
Forældet
FET-type
Teknologi
Afladning til kildespænding (Vdss)
100 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)
10V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs
4,5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (maks.) @ Id
4V @ 250µA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds
9620 pF @ 50 V
FET-funktionalitet
-
Effektspredning (maks.)
370W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Klasse
-
Kvalifikation
-
Monteringstype
Hulmontering
Leverandørs enhedspakning
TO-220AB
Pakke/hus
Grundlæggende varenummer
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Forældet
Dette produkt produceres ikke længere. Se Erstatningsvarer.