Name: IMBG40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG40R011M2HXTMA1TR-ND
Price: 126.825 DKK
Availability: InStock

Billedet er kun en repræsentation. Nøjagtige specifikationer skal indhentes fra databladet.

IMBG40R011M2HXTMA1
DigiKeys varenummer	448-IMBG40R011M2HXTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMBG40R011M2HXTMA1CT-ND - Afskåret tape (CT) 448-IMBG40R011M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producenter	Infineon Technologies
Producentens varenummer	IMBG40R011M2HXTMA1
Beskrivelse	SIC-MOS
Producentens standard leveringstid	20 uger
Kundereference
Detaljeret beskrivelse	N-kanal 400 V 13,4A (Ta), 133A (Tc) 3,8W (Ta), 429W (Tc) Overflademontering PG-TO263-7-11
Datablad	Datablad
EDA/CAD-modeller	IMBG40R011M2HXTMA1 Modeller

Produktegenskaber

Type	Beskrivelse	Vælg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET’er, MOSFET’er Enkelt FET’er, MOSFET’er
Mfr	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballage	Tape & Reel (TR) Afskåret tape (CT) Digi-Reel®
Varestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (siliciumcarbid)
Afladning til kildespænding (Vdss)	400 V
Strøm - Kontinuerlig afladning (Id) @ 25°C	13,4A (Ta), 133A (Tc)
Drivspænding (maks. Rds til, min. Rds til)	15V, 18V
Rds on (maks.) @ Id, Vgs	14,4mOhm @ 37,1A, 18V
Vgs(th) (maks.) @ Id	5,6V @ 13,3mA
Gate-ladning (Qg) (maks.) @ Vgs	85 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Inputkapacitans (Ciss) (maks.) @ Vds	3770 pF @ 200 V
FET-funktionalitet	-
Effektspredning (maks.)	3,8W (Ta), 429W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Klasse	-
Kvalifikation	-
Monteringstype	Overflademontering
Leverandørs enhedspakning	PG-TO263-7-11
Pakke/hus	TO-263-8, D2PAK (7 ledere + tab), TO-263CA